講演情報
[15p-P07-24]フェリ磁性体における磁化補償温度の水素誘起変調
〇小山 知弘1,2,3,4、辻 匠1、田辺 賢士5、千葉 大地1,3,4,6 (1.阪大産研、2.JSTさきがけ、3.阪大CSRN、4.阪大OTRI、5.豊田工大、6.東北大SRIS)
キーワード：
フェリ磁性体、水素化、補償温度
高速ダイナミクスを示す希土類(RE)-遷移金属(TM)合金フェリ磁性体は、RE元素が容易に水素化されることから、そのバルク材料は水素貯蔵材料として長年研究されてきた経緯がある。そのためRE-TM薄膜の磁気特性も水素化によって変調され、水素で駆動する新しい磁気デバイスに応用できることが期待される。本研究では、RE-Co（RE = Gd、Tb）合金薄膜の水素誘起磁気特性変調について調べたので報告する。