講演情報
[15p-P07-56]Co/Gd 多層膜を用いたSOT 磁化反転の測定
〇(M1)吉田 笙子1、塩田 陽一1,2、成田 秀樹1、久富 隆佑1,2、輕部 修太郎1,2、小野 輝男1,2 (1.京大理、2.京大CSRN)
キーワード：
スピン軌道トルク、磁気ランダムアクセスメモリ、フェリ磁性体
磁壁駆動メモリは、次世代メモリの候補として、高密度・不揮発性ストレージの実現が期待されている。本研究では、通常強磁性体が用いられている垂直磁気異方性が高い層にフェリ磁性体を用いることで、より高速な動作、漏れ磁場の抑制、スピン軌道トルク(SOT)による書き込み効率の増大などを実現することを目指す。フェリ磁性体にCo/Gdの多層膜を用い、異常ホール効果測定を行った結果、強磁性体のCoよりも低い電流密度でのSOTを達成した。