[16a-K401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30

[16a-K401-9] AlGaNバッファー層を用いたQST基板上のBGaN成長における成長温度依存性評価

〇林 敦景¹、西川 瞬¹、小久保 瑛斗²、若林 源一郎³、本田 善央⁴、天野 浩⁴、松本 倖汰⁵、伊藤 範和⁵、田中 岳利⁵、中原 健⁵、井上 翼¹、青木 徹⁶、中野 貴之^1,6 (1.静大院工、2.名大院工、3.近大原研、4.名大IMaSS、5.ローム株式会社、6.静大電研)

キーワード：

BGaN、QST基板、中性子検出器