[16p-K305-1~16] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[16p-K305-3] InGaAsPを用いたプラズモニック電界吸収変調器の数値解析

〇森 温音¹、小松 健太郎¹、作本 宙彌¹、脇田 耀介¹、赤澤 智熙¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大工)

キーワード：

光変調器、プラズモニック導波路