[16p-P05-1~20] 12.2 評価・基礎物性

[16p-P05-2] ケルビンプローブ顕微鏡を用いた MoS2/g-C3N4 ヘテロ接合界面の表面電位計測

〇鈴木 雄登¹、飯田 悠介¹、野田 啓¹ (1.慶應大理工)

キーワード：

半導体、KPFM、ヘテロ接合

二硫化モリブデン（MoS2）と高分子状窒化炭素（g-C3N4）のヘテロ接合は効率的な可視光吸収と電荷分離を示し、光触媒として機能する。しかし、界面でのキャリア挙動の研究は主にバルク試料に依存している。本研究では、g-C3N4薄膜とMoS2ナノシートを用いて界面を形成し、ケルビンプローブ顕微鏡（KPFM）により表面形状と表面電位を同時観察し、局所的なキャリア挙動を明らかにすることを試みた。