[16p-P08-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

[16p-P08-1] Smドープ量がBiFeO₃の局所原子配列構造に及ぼす影響

〇岡崎 海馬¹、中嶋 誠二¹、川上 真梨花¹、有馬 知希¹、木村 耕治²、八方 直久³、Halubai Sekhar²、麻生 亮太郎⁴、大阪 藍¹、林 好一²、藤沢 浩訓¹ (1.兵庫県立大工、2.名工大工、3.広島市大情報、4.九大工)

キーワード：

ビスマスフェライト、BFO、蛍光X線ホログラフィー

ビスマスフェライト(BiFeO₃)は反強磁性と強誘電体を併せ持つマルチフェロイック圧電体材料である。BiFeO₃はSmドープ量14%付近BFO薄膜では圧電性が最も高くなる。本研究では、ターゲット原子近傍の局所構造観察が可能な蛍光X線ホログラフィーおよび走査型透過電子顕微鏡を用いてBSFOエピタキシャル薄膜の局所原子配列構造の観察を試みた。