[17p-K102-1~12] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー英語発表

[17p-K102-8] Generation of highly spin-polarized electrons in Si at room temperature
using low-resistance CoFe/Fe/Mg/MgO/n⁺-Si junctions

〇(B)Ryosuke Shimizu¹, Shoichi Sato^1,2, Masaaki Tanaka^1,2,3, Ryosho Nakane^1,3,4 (1.EEIS, 2.CSRN, 3.NanoQuine, 4.d.lab)

キーワード：

Si、spintronics、spin injection