セッション詳細
[10a-F212-1~6]6.2 カーボン系薄膜
2026年9月10日(木) 9:00 〜 10:30
F212 (フロンティア応用科学研究棟)
[10a-F212-1]ホウ素ドーピングプロファイルがダイヤモンドMOSFETの電気特性に与える影響
〇劉 江偉1、寺地 徳之1 (1.物材機構)
[10a-F212-2]Py/Al2O3/p型ダイヤモンドMOS構造におけるトラップアシストトンネリング
〇河野 慎1、アメル トマ1、パーク イアン1、谷保 芳孝1、平間 一行1 (1.NTT物性研)
[10a-F212-3]High-Temperature S-Parameter Characterization of H-Terminated Diamond MOSFETs
〇須崎 秀史1、フロランタン マチュー1、小泉 治彦1、梅沢 仁1 (1.大熊ダイヤモンドデバイス)
[10a-F212-4]自己組織化単分子膜を用いた水素終端ダイヤモンドFETの電気特性改善
〇鎌田 泰幸1、鳴瀬 駿1 (1.大熊ダイヤモンドデバイス株式会社)
[10a-F212-5]エミッション顕微鏡によるp型ダイヤモンドSBDの逆方向リーク特性評価
〇江間 研太郎1、神宮 明良1、盛喜 琢也1、佐野 大輔1 (1.本田技術研究所)
[10a-F212-6]ダイヤモンド基板中の転位に伴う局所表面電子・化学状態変化のナノ光電子分光
〇佐野 大輔1、盛喜 琢也1、江間 研太郎1、小野 颯太2、吹留 博一2 (1.本田技術研究所、2.東北大学電気通信研究所)
