2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)10 スピントロニクス・マグネティクス：10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[16p-S4_201-13~19]10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2026年3月16日(月) 17:15 〜 19:00
S4_201 (南4号館)
17:15 〜 17:30英語発表

[16p-S4_201-13]Field-free current-induced magnetization switching in 2D-MXene/FM bilayers originating from induced magnetic moment at interface

Prabhat Kumar1, Shunsuke Tsuda1, Koichiro Yaji1,2, 〇Shinji Isogami1 (1.NIMS, 2.UDAC, Tohoku Univ.)
17:30 〜 17:45奨励賞エントリー英語発表

[16p-S4_201-14]Current-induced magnetization switching in polycrystalline 2D-MXene/FM bilayers fabricated on thermally-oxidized Si substrates

〇(M1)Mayank Kumar Singh1, Yukiko Takahashi1, Shinji Isogami1 (1.NIMS)
17:45 〜 18:00奨励賞エントリー英語発表

[16p-S4_201-15]Efficient magnetization switching driven by spin–orbital torque in light 3d transition-metal nitrides

〇(P)GAURAV KUMAR SHUKLA1, PRABHAT Kumar1, Mayank K. Singh1, Shinji Isogami1 (1.NIMS)
18:00 〜 18:15奨励賞エントリー英語発表

[16p-S4_201-16]Large Spin-Orbit Torque Induced by Highly Textured BiSb(012) Topological Insulator Deposited on Si/SiO_2 Substrates Using Oxide Buffer/Seed Stack

〇(M2)Wentao Li1, Hoang Huy Ho1, Xiaokun Yan1, Van Thuan Pham1, Shigeyuki Hirayama2, Yushi Kato2, Nam Hai Pham1 (1.Science Tokyo, 2.Samsung Japan Corp.)
18:15 〜 18:30奨励賞エントリー英語発表

[16p-S4_201-17]Spin-Transfer Torque Efficiency in Coupled Synthetic Free Layers Studied with Stochastic Magnetic Tunnel Junctions

〇Takuma Kinoshita1, Mototsugu Ohtani1, Nuno Cacoilo1, Haruna Kaneko1, Shun Kanai1, Hideo Ohno1, Shunsuke Fukami1 (1.Tohoku Univ.)
18:30 〜 18:45英語発表

[16p-S4_201-18]Reduction of write-error rate for a voltage-controlled MRAM with nonlinear voltage-dependent magnetic anisotropy by using short-time reverse bias method

〇Rie Matsumoto1, Hiroshi Imamura1 (1.AIST)
18:45 〜 19:00英語発表

[16p-S4_201-19]Anomalous Nernst effect in Co-Pt thin film fabricated by electrodeposition method

〇Yuichiro Kurokawa1, Rio Kawana2, Keisuke Yamada2, Hiromi Yuasa1 (1.Kyushu Univ., 2.Gifu Univ.)
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