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11:05 AM - 11:20 AM JST(2:05 AM - 2:20 AM UTC)

[GS02-2-01]ロックインサーモグラフィ式レーザー周期加熱法によるパワー半導体用放熱基板の界面熱抵抗測定

〇Ryohei Fujita¹, Niida Haruumi¹, Naoto Kodate², Masashi Nagaya², Kei Uchida², Hosei Nagano¹ (1. Nagoya Univ., 2. U-MAP)

接触・界面熱抵抗,ロックインサーモグラフィ,レーザー周期加熱法,パワー半導体,赤外線サーモグラフィ