講演情報
[2B05]シリコンカーバイド(SiC)半導体検出器による単色高速中性子の検出性能評価
*永井 寛大1、島添 健次1、青山 敬2、鈴木 崇仁2、中村 尚司2,3、松本 哲郎4、増田 明彦4、真鍋 征也4 (1. 東大、2. 富士電機、3. 東北大、4. 産総研)
キーワード：
放射線検出器、半導体検出器、高速中性子
シリコン半導体より幅広い温度範囲で使用できるシリコンカーバイド(SiC)半導体を用いた中性子検出器の研究を行っている。今回は、増幅器、MCAを用いて産総研にて単色高速中性子の計測実験を行ったのでその結果について報告する。