セッション詳細
最先端電子デバイスプロセス(2)
2025年3月20日(木) 14:00 〜 15:15
S19(講義棟0024)
座長:近藤 敏彰(愛知工科大学)
主催：電子材料委員会
[S19_3_03(学生講演)]Ti密着層を用いた固相析出法によるMLGパターンの形成と電気特性
〇西村 巧1、柏木 悠太郎2、上野 和良1,2 (1. 芝浦工業大学大学院、2. 芝浦工業大学工学部)
[S19_3_04(学生講演)]マイクロ流路を用いた無電解銅めっきのその場観察
〇佐野 浩士朗1、早瀬 仁則1 (1. 東京理科大学)
[S19_3_05(学生講演)]無電解めっきによる微細配線応用に向けたRu膜の形成と評価 (Ⅲ)
〇濱村 尚伸1、石井 優子1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1. 関西大学)
[S19_3_06(学生講演)]GaAs基板上に形成した無電解Ni-Pめっき膜のストレス解析
〇西澤 弘一郎1,2、松本 歩2、日坂 隆行1、門岩 薫1、中村 勇1、佐久間 仁1、小島 善樹1、市川 聡3、福室 直樹2、八重 真治2 (1. 三菱電機株式会社、2. 兵庫県立大学、3. 大阪大学超高圧電子顕微鏡センター)
[S19_3_07(学生講演)]超臨界CO２を用いたCuエッチングにおけるプロセス条件依存性の検討
〇榊原 潤紀1、近藤 英一1 (1. 山梨大学)