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[P7] パルスジェットCVD法によるSiC薄膜成長と表面モフォロジーの基板依存性

*吉留 海燿¹、田口 義人¹、有田 誠²、生駒 嘉史²、佐道 泰造³ (1. 九大工（院生）、2. 九大工、3. 九大総理工)

キーワード：

CVD、Si、Ge、SiC、表面モフォロジー

ガスをパルスとして基板に照射するパルスジェットCVD法を用いてSi、Geなどの基板に対してSiC薄膜成長を試み、表面モフォロジーの基板依存性を調査した