[P] P192~P211

[P203] VN薄膜の電気的特性にアモルファス化が及ぼす影響

*田邉 拓三¹、加藤 広晃¹、鈴木 常生¹ (1. 長岡技科大)

キーワード：

薄膜、PLD、遷移金属窒化物、アモルファス

PLD法により薄膜を作製した。電気抵抗率の温度依存性は結晶化VNでは金属的挙動を示し、アモルファスVNでは半導体的挙動を示した。アモルファスVNの半導体的挙動は、アンダーソン局在と関連している可能性がある。