[P] P83~P111

[P99] 斜入射蒸着法により作製したInN薄膜のEC特性に対する成膜温度の影響

平田 翔¹、*牛木 大誠¹、井上 泰志¹、高井 治² (1. 千葉工大工、2. 表面・超原子研)

キーワード：

反応性蒸着法、斜入射堆積法、窒化インジウム、成膜温度、エレクトロクロミック特性

斜入射反応性蒸着法により作製した窒化インジウム薄膜のエレクトロクロミック特性は，成膜温度の上昇に伴い，色変化波長領域が赤外方向にシフトするとともに，色変化幅が減少する傾向を示した．