[S4] S4.界面ナノ構造と機能の材料科学(2)

14:30 〜 14:45

[S4.21] ナノ多結晶Siのモデリングと局所的配位環境の理解

*山口 紘生^1,2、藤井 進^2,3、吉矢 真人^1,2 (1. 大阪大学大学院工学研究科、2. ファインセラミックスセンター、3. 九州大学大学院工学研究科)

キーワード：

ナノ多結晶Si、階層的クラスタリング、有効配位数

ナノ多結晶Siに内包されているランダム粒界の微視的な構造はいまだに不明である。本研究では計算機実験を用いてナノ多結晶Siをモデリングし、そこに含まれる粒界近傍の原子の局所的な配位環境を理解した。