[G] スピントロニクス・ナノ磁性材料

11:40 〜 11:55

[57] タングステンを介した層間交換結合系の再考

Hou Xueyao¹、伊藤 啓太¹、Kushwaha Varun¹、山崎 匠¹、Gu Junwei¹、坂本 祥哉^1,2、Wen Zhenchao³、増田 啓介³、岡林 潤⁴、*関 剛斎^1,2,5 (1. 東北大金研、2. 東北大CSIS、3. 物材機構、4. 東大理、5. 東北大SRIS)

キーワード：

スピントロニクス、層間交換結合、タングステン

本講演では、CoFeB/W/CoFeBにおける層間交換結合(IEC)を示し、反強磁性結合が作用するW層厚領域を決定し、W系IECを再考することで物理機構を議論する。