[S7] S7 高温プロセッシングが拓くワイドギャップ結晶の未来I

14:20 〜 14:40

[S7.4] SiC単結晶昇華法における成長メカニズムの新たな理解と計算状態図による考察

*美濃輪 武久、阿部 太一¹ (1. 物質・材料研究機構)

キーワード：

SiC、単結晶、昇華法、状態図、熱力学計算

単結晶SiC昇華法の成長メカニズムに関して、金相学的観察と熱力学的状態図計算による見直しを行い、従来考えられていたメカニズムの問題点を明らかにし、新たな昇華法の考え方について提案するものである。