[10a-N105-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:00 〜 9:15

[10a-N105-1] THVPE法によるGaN基板上ε-Ga₂O₃成長における基板表面酸化の影響

〇北川 晴輝¹、田口 幸佑²、邱 萍²、村上 尚^1,2 (1.東京農工大先進学際科学府、2.東京農工大学生物システム応用化学府)

キーワード：

Effect of substrate surface oxidation on ε-Ga2O3/GaN by THVPE method

本研究では、ε-Ga₂O₃成長の高い成長速度および結晶品質向上を目的として、GaN基板上成長を検討した。c-sapphire基板よりもε-Ga₂O₃との格子不整合度の小さいGaN基板を用いることで成長結晶へかかる歪みを低減し、結晶品質の向上が期待される。今回、GaN基板表面の酸化状態が結晶性や相変化に与える影響を調査したので報告する。