2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-N105-1~9]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年9月10日(水) 9:00 〜 11:30
N105 (共通講義棟北)
太田 優一(富山県立大)
9:00 〜 9:15

[10a-N105-1]THVPE法によるGaN基板上ε-Ga2O3成長における基板表面酸化の影響

〇北川 晴輝1、田口 幸佑2、邱 萍2、村上 尚1,2 (1.東京農工大先進学際科学府、2.東京農工大学生物システム応用化学府)
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9:15 〜 9:30

[10a-N105-2]TEMによるScAlMgO4オフ基板上β-Ga2O3の極微構造評価

〇草山 大生1、加藤 颯真1、中本 トラン2、金子 健太郎3、松倉 誠4、小島 孝広4、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研、4.(株)オキサイド)
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9:30 〜 9:45

[10a-N105-3]β-Ga2O3におけるn型ドーパントの拡散係数の測定

〇長谷川 流石1、仲村 龍介1、鈴木 健之2 (1.滋賀県大工、2.阪大産研)
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9:45 〜 10:00

[10a-N105-4]浮遊帯域溶融法を用いたβ-Ga2O3へのAl固溶に関する研究

〇穴井 和音1、長尾 雅則1、丸山 祐樹1、綿打 敏司1 (1.山梨大)
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10:00 〜 10:15

[10a-N105-5]β-Ga2O3中の点欠陥による電子構造への影響

〇河村 貴宏1、秋山 亨1、草場 彰2、寒川 義裕2 (1.三重大院工、2.九大応力研)
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10:30 〜 10:45

[10a-N105-6]赤外・ラマン分光測定による酸化ガリウム薄膜の不純物評価

〇(P)浮田 駿1、奥村 宏典1 (1.筑大数理)
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10:45 〜 11:00

[10a-N105-7]β-Ga2O3の液相エピタキシーにおける不純物の低減

〇田所 弘晃1、陳 智瑨1、大下倉 太朗1、宮本 美幸1、並木 康佑1、佐々木 誠1 (1.三菱ガス化学)
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11:00 〜 11:15

[10a-N105-8]VB法で育成したβ-Ga2O3単結晶中の線状ボイドの分布と形状

〇宮城 右京1、太子 敏則1、干川 圭吾1 (1.信大工)
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11:15 〜 11:30

[10a-N105-9]ナノインデンテーション法によるVB法で育成したβ-Ga2O3単結晶基板の面内異方性の評価

〇(M2)小川 颯大1、太子 敏則1 (1.信州大工)
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