講演情報
[10a-N105-2]TEMによるScAlMgO4オフ基板上β-Ga2O3の極微構造評価
〇草山 大生1、加藤 颯真1、中本 トラン2、金子 健太郎3、松倉 誠4、小島 孝広4、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.立命館大総研、4.(株)オキサイド)
キーワード：
結晶成長
我々はこれまでに、ミストCVD法によるScAlMgO4(SAM)基板上への単相β-Ga2O3薄膜の成長を行ってきた。成長した薄膜は面内回転ドメインをもち、単結晶ではない。しかしSAM基板にオフ角を設けたところ、薄膜の回転ドメインが抑制され、配向の制御に有効であることを明らかにした。そして今回は、透過電子顕微鏡(TEM)を用いた断面観察を通じて、SAM基板上におけるβ-Ga2O3薄膜の回転ドメインがオフ角によって抑制される傾向の評価を行った。