講演情報
[10a-N105-9]ナノインデンテーション法によるVB法で育成したβ-Ga2O3単結晶基板の面内異方性の評価
〇(M2)小川 颯大1、太子 敏則1 (1.信州大工)
キーワード：
β-Ga2O3、機械的特性、ナノインデンテーション
β-Ga₂O₃は融液成長が可能なパワーデバイス材料で、劈開性により加工が難しい。本研究では(100)、(010)、(001)面基板を回転させ、ナノインデンテーションで面内異方性を評価した。最大荷重10mNで各面に対し角度を変えて測定を行い、pop-in回数が面内の回転角度に依存して変化することが分かった。特に{100}劈開面に垂直な方向でpop-inが多く、変形しやすいことがわかった。