講演情報
[10a-N201-5]a-SiキャッピングによるエピタキシャルMg3Bi2薄膜の高品質化及び熱電特性の向上
〇(DC)鮎川 瞭仁1、栗山 武流1、根城 虹希1、山本 若葉2、安原 聡2、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大、2.JEOL Ltd.)
キーワード：
熱電材料、Mg3Bi2、エピタキシャル成長
薄膜型熱電材料は小型･軽量な独立電源として、IoTデバイスなどへの応用が期待されている。中でも室温域で優れた熱電性能を示すMg3Bi2系材料が注目を集めている。しかしMg3Bi2は非常に大気不安定であり、熱電性能に悪影響を与えることが報告されている。本研究では、大気安定性付与を目的として、a-Siキャッピングを施したエピタキシャルMg3Bi2薄膜を作製し、その熱電特性を評価した。