[10a-N204-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

11:00 〜 11:15

[10a-N204-8] Si MOSFET 埋込ナノ構造の非破壊評価のための機械学習モデルの検討

〇(D)呂 任翔¹、山口 彪斗¹、葛西 誠也¹ (1.北大　量集センター)

キーワード：

機械学習、Si MOSFET、ナノ構造