[10a-N206-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-N206-2] EuO 薄膜における Yb ドープの効果

〇(M1)菊地 帆¹、神永 健一¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：

薄膜、PLD、EuO

強磁性半導体EuOは，その巨大な磁気光学効果やスピンフィルター効果から，次世代スピントロニクス材料として有望視されている. 本研究では，Ybをドーパントとして選択し，Eu_1−xYb_xO混晶膜を作製して，YbドーピングがEuOの結晶構造および磁気特性に及ぼす影響を系統的に調査した.