[10a-N301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[10a-N301-1] GaN/Air-DBR搭載InGaN/GaN薄膜コアレーザの室温光励起発振特性

〇飯島 颯太朗¹、髙橋 勇貴¹、佐藤 秀哉¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)

キーワード：

半導体レーザー