[10a-N301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶 | 2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-N301-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年9月10日(水) 9:00 〜 12:00

N301 (共通講義棟北)

9:00 〜 9:15

[10a-N301-1]GaN/Air-DBR搭載InGaN/GaN薄膜コアレーザの室温光励起発振特性

〇飯島颯太朗¹、髙橋勇貴¹、佐藤秀哉¹、菊池昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-N301-2]上部GaNトンネル接合を有するLEDにおけるアクセプタ濃度の測定

〇長田和樹¹、石黒永孝¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹ (1.名城大　理工)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-N301-3]下部GaNトンネル接合LEDにおける横方向Mg活性化アニール

〇東莉大¹、長田和樹¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹、上山智¹ (1.名城大理工)

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[10a-N301-4]Ga_0.89In_0.11Nトンネル接合を有する2段接合LEDの電気・光学的特性

〇(M1)山口哲史¹、長田和樹¹、東莉大¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹ (1.名城大学)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-N301-5]GaN基板上窒化物緑色活性層におけるInを有する下地層依存性

〇安藤嘉太¹、禿子温教¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹、野中健太郎²、倉岡義孝²、吉野隆史² (1.名城大理工、2.日本ガイシ(株))

10:15 〜 10:30

[10a-N301-6]Ag被膜InGaN/GaN量子井戸のUV照射と熱処理による高効率緑色発光

〇(M1)上田直毅¹、伊藤駿¹、松山哲也¹、村井俊介¹、和田健司²、船戸充³、川上養一³、岡本晃一¹ (1.阪公大院工、2.阪公大研究推進、3.京大院工)

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[10a-N301-7]段差フリーGaInN系積層型モノリシックμLEDアレイにおけるアノードビア直下のn型層膜厚がデバイス特性に与える影響

〇福島瑚子¹、清水優輝¹、竹谷圭右¹、末広好伸¹、上山智¹、竹内哲也¹、岩谷素顕¹ (1.名城大)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[10a-N301-8]導電性ビアを用いた単一カソード駆動GaInN積層μLEDアレイの開発

〇清水優輝¹、福島瑚子¹、竹谷圭右¹、末広好伸¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹ (1.名城大・理工)

11:15 〜 11:30

[10a-N301-9]多機能化マイクロLEDプローブの開発とIn vivo光薬理学への応用

〇守屋和輝¹、西川敦²、Alexander Loesing²、大川宜昭³、関口寛人^1,4 (1.豊技大、2.ALLOS、3.獨協医大、4.名城大)

11:30 〜 11:45

[10a-N301-10]Sn/In金属を用いたマイクロLEDの反転転写プロセス

〇松井壱渡¹、神田稜太¹、西川敦²、Loseing Alexander²、関口寛人^3,1 (1.豊橋技大、2.ALLOS、3.名城大)

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[10a-N301-11]InGaNレーザエピタキシャルウエハを用いた線形/非線形擬似位相整合光子対発生デバイスの設計

〇和田拓巳¹、小川浩輝¹、上向井正裕¹、谷川智之¹、片山竜二¹ (1.阪大院工)

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