講演情報

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[10a-N301-2]上部GaNトンネル接合を有するLEDにおけるアクセプタ濃度の測定

〇長田和樹¹、石黒永孝¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹ (1.名城大　理工)

トンネル接合、Mg活性化、C-V測定

GaNトンネル接合を上部に有するLEDにおいて、p型GaN中のMg活性化率をメサ径の異なる試料で比較し、CV測定によりアクセプタ濃度を評価した。N₂雰囲気中725℃、30分のアニール後、メサ径が小さい方が高い活性化率を示し、水素脱離がメサ側面から進行する可能性が示唆された。