講演情報
[10a-N301-3]下部GaNトンネル接合LEDにおける横方向Mg活性化アニール
〇東 莉大1、長田 和樹1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大理工)
キーワード：
トンネル接合、活性化アニール
本研究では、Bottom-TJ構造LEDの性能向上を目的として、活性化アニール条件の最適化を検討した。N₂アニールに比べ、O₂アニールでは活性化効果が高く、駆動電圧の安定性が向上した。一方で、O₂アニールは表面粗化を引き起こし、駆動電圧の上昇や光出力の低下といった課題も確認された。今後は、O₂アニール時の表面保護の導入や、アニール温度・時間の最適化を進めることで、Bottom-TJ構造LEDの特性向上を図る。