講演情報
[10a-N302-11]極低温におけるバルクMOSFETのサブスレッショルド電流ばらつきの統計分布
〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、岡 博史2、森 貴洋2、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.産総研)
キーワード：
クライオCMOS、ばらつき、統計分布
前研究で我々は，サブスレッショルド性能を評価するために，電流立ち上がり電圧 (COV) とサブスレッショルド電圧 (VSS) という2つの指標を提案し，室温と極低温におけるサブスレッショルド領域でのそれらのばらつきを解析した．本研究では、さらにCOVとVSSの統計的分布を調べた.