[10a-N302-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:45 〜 10:00

[10a-N302-4] バリアゲートによるポテンシャル障壁の形成を利用した3次元積層型シリコン量子ドット

〇(D)金 駿午¹、二木 大輝¹、水谷 朋子¹、更屋 拓哉¹、岡 博史²、森 貴洋²、小林 正治^1,3、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研、3.東大d.lab)

キーワード：

量子ドット