講演情報
[10a-N323-8]基板に入射する高速中性粒子のモンテカルロシミュレーション
〇伝宝 一樹1、松隈 正明1 (1.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
キーワード：
プラズマ、高速中性粒子、シミュレーション
希ガス限定の単周波/二周波印加シースモデルを拡張し，イオン-分子間反応衝突モデルDNT+DMで生成されたイオン衝突断面積を入力とすることで，混合ガスプラズマ中における種々の高速中性粒子の基板入射フラックス，エネルギー・角度分布，シース中の反応レート等の解析を可能とした．GEC Reference Cell中のAr CCPに適用し，高速中性Arの考慮がAr+以上に重要であることを示す他，講演では，成膜プロセスに用いられるAr/H2混合ガスプラズマへの適用事例も併せて紹介する．