[10a-N401-1~9] 13.3 絶縁膜技術

9:00 〜 9:15

[10a-N401-1] 異種面方位Si基板上へのゲート絶縁膜形成に関する検討

〇森田 行友¹、鶴口 正士¹、早川 兼²、須藤 治生²、泉妻 宏治²、大見 俊一郎¹ (1.科学大工、2.GWJ（株）)

キーワード：

Si(110)、SiO2、ゲート絶縁膜

我々はこれまで、異種面方位Si基板上へのゲート絶縁膜形成に関する検討を行ってきた。今回、ゲート絶縁膜の電気特性のSi基板面方位依存性の評価を目的として、Si(100)およびSi(110)基板上に形成した熱酸化膜の電気特性に関する検討を行ったので報告する。