講演情報
[10a-N401-6]表面ポテンシャル揺らぎが高周波CV法による界面準位評価に与える影響
〇高木 信一1、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端研、2.東大院・工)
キーワード：
界面準位、MOS界面、高周波CV法
表面ポテンシャル揺らぎはコンダクタンス法でその定量的評価がなされているが、C-V特性から求めた界面準位量に及ぼす影響は殆ど検討されていない。本研究では、ポテンシャル揺らぎの高周波C-V特性を用いた界面準位評価への影響を定量的に調べ、表面ポテンシャル揺らぎは、高周波C-V特性を用いた評価において、バンド端近傍にU-shapeのエネルギー分布を持つ見かけ上の界面準位密度分布を作りだすことが見出された。