講演情報
[10a-P03-18]フッ化アルキル基を持つシアノ修飾含窒素ペリレンジイミド誘導体の集合体構造と電荷輸送特性
〇(M1)北岡 由宇1、小熊 威2、熊谷 翔平1、三谷 真人1、竹谷 純一2,3、岡本 敏宏1,3 (1.東京科学大物質理工、2.東大院新領域、3.JST CREST)
キーワード：
n型有機半導体、単結晶トランジスタ
n型有機半導体の高性能化には、分子軌道や分子間相互作用、集合体構造の制御を通じた分子設計の深化が必要である。我々は、独自に開発した含窒素ペリレンジイミド(BQQDI)骨格に着目し、ベイ位へのシアノ基導入によって溶解性の向上や分子軌道準位の低下を見出している。本研究では、イミド上置換基としてフッ化アルキル側鎖を導入したシアノ修飾BQQDIを設計・合成し、結晶構造、熱物性、溶解性、OFET特性について評価した。