講演情報
[10a-P04-10]ラマン分光法による応力負荷されたGaN基板の電子物性解析
〇松田 拓大1、松下 広大1、須田 潤1 (1.中京大工)
キーワード：
GaN、ラマン分光法、パワーエレクトロニクス
我々は電極付GaN半導体の半導体界面において熱応力により、比抵抗が増加することを報告している。本研究では、電子物性の純粋な曲げ応力効果を評価することを目的とし、3点曲げ試験機による応力負荷状態のn型GaN半導体のその場ラマン分光実験を0MPaから153MPaまで行った。得られたLOPCモードのスペクトルから電子物性解析を行い、電子密度、電子移動度、比抵抗の引張応力特性を求めた。