講演情報

[10a-P04-12]窒化物成長に向けたSi(111)/Diamondテンプレート基板の作製

〇(M1C)岩本晃¹、重川直輝¹、梁剣波¹ (1.大阪公大工)

窒化物半導体、ダイヤモンド、表面活性化接合

我々は過去に、表面活性化接合法により作製した窒化物半導体/Diamond構造において、窒化物半導体素子の優れた放熱特性を実証した。本研究では窒化物半導体層の構造自由度拡大を目指し、接合後の結晶成長を見据えたSi(111)薄膜/Diamond構造を作製した。