講演情報
[10a-P04-14]表面活性化接合を用いたダイヤモンド基板上GaNメサ構造の絶縁特性
〇砂本 陽成1、末光 哲也2、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工、2.東北大)
キーワード：
窒化物半導体、ダイヤモンド、表面活性化接合
我々は、これまでに窒化物半導体/3C-SiC buffer//Diamond構造を表面活性化接合により作製し、窒化物デバイスの優れた放熱性を実証した。本研究では、窒化物デバイスのリーク電流低減を目指し、Diamondの絶縁性を活かした構造を作製、評価した。