講演情報
[10a-P04-17]GaN系HBTに向けたp型GaInN/GaN MQW構造の電気特性評価
〇井上 諒星1、石田 颯汰朗1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
キーワード：
GaN、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、多重量子井戸
GaN系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は、GaN系HEMTや他材料系のHBTに比べ、高速で大出力動作が期待できる。一方、GaN系HBTにおいて、低抵抗のp型層が得られないという課題がある。本研究では、npn型GaN-HBTを想定したうえで、p型ベース層の横方向抵抗を低減する方法として、GaInN/GaN多重量子井戸（MQW）構造におけるMgの変調ドーピングを検討したので報告する。