[10a-P04-1~22] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[10a-P04-19] CL-PECエッチングにより形成したリセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性

〇勝又 十勝¹、塩澤 直生¹、岡野 陽樹¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

光電気化学