講演情報
[10a-P04-20]ミストCVD法によるGaN系MISデバイス向けAl1−xTixOyゲート絶縁膜の作製と堆積メカニズムの解明
〇大竹 浩史1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)
キーワード：
GaN、ミストCVD、AlTiO
本研究ではGaN系MISデバイス向けゲート絶縁膜としてAl1−xTixOy混晶ゲート絶縁膜に着目した。堆積手法にはミストCVD法を用いて混晶比制御性と物性値制御性、堆積メカニズムについて評価した。XRF測定から堆積温度が高温になるにつれ膜中Alの割合が増加していることが明らかとなった。この原因はAl2O3とTiO2の堆積速度に温度依存性があるためだと考えられる。また得られた物性値は文献で報告されているALD法と概ね同等な値であった。