講演情報
[10a-P04-21]GaN表面酸化に向けたミスト熱酸化プロセス
〇濵砂 涼介1、Soe Thin Nu1、平倉 拓海1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)
キーワード：
熱酸化、ミストCVD、ミストエッチング
AlGaN/GaN MOS-HEMTのノーマリーオフ動作を実現する手法としてリセスゲート構造があるが、一般的なドライエッチングでは(Al)GaN表面にダメージを与える。そこで本研究では低ダメージエッチング手法としてミストCVD法を応用したミストエッチングに注目した。GaN表面を熱酸化しGa2O3をエッチングする二段階プロセスの実現を目指し、Si基板を用いた初期検討を行った。