講演情報
[10a-P04-3]ラマン分光法によるSiC-SBDにおけるSiC/SiO2界面の高温電子物性解析
〇石田 秀1、清住 竜也1、須田 潤1 (1.中京大工)
キーワード：
SiC、ラマン分光法、パワーエレクトロニクス
車載用パワーデバイスにおいてワイドギャップ半導体は200 ℃以上の高温動作させる場合がある。そのため、電極界面に熱応力が働き、闘値変動や機械的な剥離、クラック等の信頼性低下の要因が指摘されている。パワーデバイス開発のため熱応力変化やその電子物性を知る必要がある。 本研究ではSiC-SBDのSiC/SiO2界面のLOPCモードのスペクトルを測定し、誘電分散解析を行い、電子密度、電子移動度、比抵抗を求めたので報告する。