講演情報
[10a-P04-4]n-SiC MOSFETのCharge Pumping電流における幾何学的形状成分のTCAD及び実験的解析
〇木全 健太1、志村 一眞1、岡本 大1、染谷 満2、平井 悠久2、岡本 光央2、畠山 哲夫1 (1.富山県立大、2.産総研)
キーワード：
半導体
SiC MOSFETに対するCharge Pumping (CP)測定においては、Geometric Component（GC）を抑制することが重要である。そこで本研究では、GCの発生メカニズムを明らかにし、GCを抑制可能な条件を見出すことを目的として、ゲート長 L およびゲート電圧の立ち上がり時間 tr, 及び立ち下り時間 tf を変化させた実験とTCADシミュレーションを実施した。その結果、GCの抑制には、ゲート電圧の立下り時間 tfを十分に長く設定するとともに、ゲート長 L を短くすることが有効であると示した。