講演情報
[10a-P04-5]pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCADおよび実験的解析
〇(M2)志村 一眞1、岡本 大1、田口 雄大1、木全 健太1、染谷 満2、平井 悠久2、岡本 光央2、畠山 哲夫1 (1.富山県立大、2.産総研)
キーワード：
半導体、シミュレーション
本研究では、ゲート長の異なるpチャネルSiC MOSFETにおけるCharge Pumping(CP)電流のTCAD解析を行った。CP電流のGeometric Component(GC)は、ゲート電圧の遷移時にチャネル内の正孔分布が不均一になることに起因し、これは正孔の低い移動度によって引き起こされる。実験およびTCADシミュレーションの結果、正孔濃度を均一にするために、ゲート電圧の立ち上がりおよび立ち下り時間を十分に長く設定することで、GCを効果的に抑制できることが確認された。これにより、SiC MOS界面における界面準位密度のより正確な評価が可能となる。