講演情報
[10a-P04-8]顕微ラマン分光による曲げ応力を印加したGaN基板の応力分布評価
〇松下 広大1、松田 拓大1、須田 潤1 (1.中京大工)
キーワード：
GaN、ラマン分光法、パワーエレクトロニクス
ワイドギャップ半導体デバイスは200℃以上の高温で動作させるため、電極界面における局所的な応力は閾値変動や機械的な剥離、クラック等の信頼性低下の要因として指摘されている。我々はラマン分光法によりGaNの電極界面における熱応力の高温特性を調べた。本研究では、3点曲げ試験によるその場ラマン分光実験を行い、曲げ応力と変位に関してFEM解析結果と比較した。