講演情報
[10a-P05-16]GaNスパッタリングターゲットを用いた薄膜作製と物性評価
〇上岡 義弘1、常盤 美怜1、板東 廣朗1、三崎 日出彦1、上向井 正裕2、谷川 智之2、片山 竜二2、召田 雅実1 (1.東ソー、2.阪大院工)
キーワード：
窒化ガリウム、スパッタリング、不純物
スパッタリング法を用いたGaNの成膜は、従来のMOCVD法と比較し、低温プロセス、水素フリー、除外設備が不要、高濃度のドーピングが可能という特長を有している。当社では高純度GaNスパッタリングターゲットを開発しており、同ターゲットを用いて作製したGaN膜について報告してきた。一方で、成膜条件と膜中不純物や表面形態の関係については明らかになっているとは言い難い。本検討では、各種成膜条件と膜物性の関係について評価した。