[10a-P05-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-P05-2] RF-MBE法による高Al組成AlGaN薄膜の厚膜化条件の検討

〇笠井 遼太郎¹、田中 練¹、中本 トラン²、赤池 良太³、中村 孝夫^3,4、三宅 秀人³、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.三重大院工、4.三重大未来図)

キーワード：

AlGaN、RF-MBE成長、AlNテンプレート基板