2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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[10a-P05-4]
リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造 FET のデバイス特性のリセス深さ依存性
〇張 偉祥
1
、白須 翔
1
、森田 廉
1
、リ チホウ
1
、藤岡 洋
2
、前田 就彦
1
(1.東京工科大工、2.東大生研)
キーワード：
AlGaN/GaN ヘテロ構造
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