[10a-P05-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-P05-6] 陽極酸化順バイアス条件および逆バイアス条件にて電気化学的通電をしたAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性(Ⅱ)

〇森田 廉¹、安藤 陸¹、須田 順子¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：

AlGaN/GaNヘテロ構造、電気化学、窒化物半導体